全球半导体行业经历了2023年低谷后，在2024年恢复增长。在国家积极“扩内需、促消费、稳增长”，大力发展新质生产力，加强科技自主创新，“强链延链补链”、加快数字中国建设、持续推进“人工智能+”行动，实现高质量发展等一系列政策的推动下，国产芯片进口替代的进程明显加快。

2025年5月8日，英飞凌公布其2025财年第二季度财报，数据显示，2024年全球功率半导体市场总规模缩小至323亿美元，而士兰微电子逆市成长，以3.3%的市场占比跃升至全球第六，充分展现了其在功率半导体领域的技术积累和产能布局优势。比亚迪以3.1%的市场份额位居全球第七。

士兰微、比亚迪功率半导体市占率大幅上升

英飞凌是全球领先的半导体公司之一，在功率半导体、汽车半导体和汽车微控制器市场均排名第一。公司发布的2025财年第二季度财报显示，功率半导体市场规模从2023年的357亿美元下降至2024年的323亿美元。

在市场规模整体下降的背景下，士兰微不论是在营收规模，还是市场占有率，均出现大幅增长。在营收规模方面，根据英飞凌财报数据测算，公司2024年功率半导体营收10.66亿美元，2023年则为9.28亿美元。在市占率方面，公司从2023年的2.6%大幅提升至3.3%，升至全球第六位，稳居国内功率半导体龙头。而据士兰微年报，公司2024年营收首破百亿元大关，同比增长逾20%，达到112亿元人民币，创造了中国本土成长起来的半导体IDM公司的历史性时刻。公司电路和器件成品的销售收入中，已有76%的收入来自大型白电、通讯、工业、新能源、汽车等高门槛市场。

比亚迪首次出现在功率半导体全球市占率前十，达到3.1%，主要受益于比亚迪汽车整车产销量快速增长的拉动。中汽协数据显示，2024年比亚迪全年销量超427万辆，其中新能源乘用车销量超425万辆，同比增幅41.1%。

2024年全球功率半导体市占率前十的企业，只有士兰微、比亚迪两家企业市占率相比2023年提升，而排名第一的英飞凌市占率大幅下降2.9个百分点，排名第二的安森美半导体下降0.5个百分点，排名第三的意法半导体下降一个百分点。

这充分彰显出功率芯片国产替代进程加快。

汽车半导体国产替代空间大

相比功率半导体市场国内企业取得的明显成就，在汽车半导体市场龙头依旧是外企霸榜。英飞凌财报显示，不论是汽车半导体还是汽车MCU，第一名均为英飞凌，前五大龙头全部是外企。全球汽车半导体市场依旧呈现高度集中化趋势，2024年前五大厂商占据48.2%的份额，2023年前五大厂商更是占据近50%的份额。

汽车半导体市场空间巨大，尤其是随着汽车行业电子化程度的提高，汽车芯片的需求量快速增长。国际数据公司（IDC）预计，随着高级驾驶辅助系统（ADAS）、电动汽车（EV）和车联网（IoV）的日益普及，汽车半导体市场规模到2027年将超过880亿美元。而根据英飞凌数据，2024年全球汽车半导体市场规模为684亿美元。这意味未来三年全球汽车半导体市场规模将增长近29%。

我国汽车半导体市场增速更为可观。据悉，2024年中国汽车芯片市场规模达1200亿元，预计2030年突破3000亿元，年复合增长率超25%。增长主要源于：新能源汽车渗透率提升至40%，带动功率芯片需求；L2级以上智能驾驶渗透率超50%，推动主控芯片需求；智能座舱普及率超60%，拉动存储和模拟芯片需求。

尽管需求旺盛，但中国汽车芯片产业面临供给瓶颈。根据中研普华研究院《2025—2030年中国汽车芯片行业市场深度调研与发展趋势预测研究报告》分析：2024年整体自给率不足15%，高功能安全等级的SoC、高性能MCU国产化率不足5%，中央域控制器芯片几乎完全依赖进口，荷兰恩智浦公司的S32G产品垄断全球市场。

士兰微的雄心壮志

就目前情况来看，以英飞凌为首的外企营收结构调整迹象明显，正在从盈利能力较差的功率半导体转向盈利能力较强的汽车半导体和汽车MCU业务，这给国内半导体企业敲响了警钟：决不能深陷价格内卷，而要走向创新高地去攫取最美味的蛋糕。

我国政府已经为突破产业瓶颈出台多项支持政策。《中国制造2025》将汽车芯片列为重点发展领域，计划到2025年实现25%半导体本地化采购目标。财政方面，国家集成电路产业投资基金（大基金）二期重点投向汽车芯片领域，各地也纷纷设立专项扶持资金。

作为国内少数实现IDM（设计—制造—封装一体化）模式的半导体企业，士兰微近年来通过技术突破、产能扩张与生态协同，在汽车半导体领域实现快速突破。据士兰微年报，公司应用于汽车、光伏的IGBT和SiC（模块、器件）的营业收入达到22.61亿元，较2023年同期增长60%以上。

从年报来看，士兰微在汽车半导体领域展现出强烈的扩张和发展意愿，通过一系列战略举措加速布局，旨在提升技术实力和市场竞争力。

2025年，公司将继续推进成都士兰“汽车半导体封装项目（一期）”等项目建设，成都士兰公司将启动汽车半导体二期封装厂房建设，进一步扩大汽车级功率模块和功率器件的封装能力。

2024年5月21日，厦门市人民政府、厦门市海沧区人民政府与士兰微电子在厦门共同签署了《战略合作框架协议》：各方合作在厦门市海沧区建设一条以SiC-MOSEFET为主要产品的8英寸SiC功率器件芯片制造生产线。该项目分两期建设，项目一期投资规模70亿元，二期投资规模约50亿元，两期建设完成后，将形成8英寸碳化硅功率器件芯片年产72万片的生产能力。本次合作是士兰微电子积极响应国家战略，加快发展汽车半导体关键芯片的重大举措。

在具体应用方面，基于公司自主研发的V代IGBT和FRD芯片的电动汽车主电机驱动模块，已在国内外多家客户实现批量供货；公司用于汽车的IGBT器件（单管）也已实现大批量出货。同时，公司应用于汽车主驱的IGBT和FRD芯片已在国内外多家模块封装厂批量销售，并在进一步拓展客户和持续放量过程中。

另外，公司已完成V代IGBT和FRD芯片的技术升级，性能明显提升，应用于新一代的降本模块和高性能模块，已送客户评测。公司还完成了多个电压平台的RC-IGBT（逆导型IGBT）产品的研发，该类产品性能指标先进，已开始在汽车主驱、储能、风电、IPM模块等领域中推广使用。2024年，基于公司自主研发的Ⅱ代SiC-MOSFET芯片生产的电动汽车主电机驱动模块在4家国内汽车厂家出货量累计达5万只，客户端反映良好，随着6英寸SiC芯片生产线产能释放，已实现大批量生产和交付。

在政策支持与市场需求双重驱动下，士兰微正以全产业链整合能力构建竞争壁垒。随着技术迭代与产能释放，公司有望在汽车电子、工业控制等高附加值市场实现爆发式增长，为半导体国产化进程注入新动能。